パナ、独企業とGaNパワーデバイスの供給体制を構築へ

インフィニオンテクノロジーズAG（本社：ドイツミュンヘン、以下、インフィニオン）とパナソニックは3月10日、両社で窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを開発することに合意したと発表しました。シリコン基板上に実現した（以下、オンシリコン）パナソニックのノーマリオフ（エンハンスメントモード）GaNパワーデバイス構造をベースにインフィニオンの表面実装（SMD：surface-mounted device）パッケージに組み込みます。これに関連し、パナソニックはインフィニオンへノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセンスを提供します。お客様にとりましてはパッケージ互換のGaNパワースイッチを、これまで他のGaNオンシリコンデバイスではできなかった二社から調達できる利点があるとしています。両社は契約に関してこれ以上の詳細を開示しないそうです。両社は2015年3月15日から19日に米国ノースカロライナ州シャーロット市で開催されるApplied Power Electronics Conference and Exposition（APEC）にDSO（Dual Small Outline）パッケージの600V 70mΩサンプルを展示します。

GaNオンシリコンパワーデバイスは、次世代化合物半導体技術のひとつです。高電力密度の特長を持ち、例えば電源やアダプタなどの基板実装面積を小さくでき、また、エネルギー効率改善のための重要なキーデバイスでもあります。一般的に、GaNパワーデバイスはサーバーファーム用電源（APECで展示する600V GaNパワーデバイスのアプリケーション例）のような産業用の高電圧用途から、DCDCコンバーター（例えばハイエンド民生機器で使われる）などの低電圧用途まで幅広い用途での活用が可能であるとしています。

インフィニオンテクノロジーズAG パワーマネジメント＆マルチマーケット事業部のプレジデント、アンドレアスウルシッツは次のように述べています。「インフィニオンは窒化ガリウムベースの信頼性の高いパワーデバイスを含む、幅広くそして最高の製品と技術のラインアップをお客様に提供することを約束します。対応するドライバ、最適化された駆動機構、エンハンスメントモードGaNオンシリコンスイッチは、お客様に高付加価値を提供し、二社供給体制のコンセプトはお客様のサプライチェーンを維持管理し、安定化するのに役立つと確信しています。」

パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社社長の西田亨は次のように述べています。「パナソニックはこれまで培った化合物半導体技術を活かし、シンプルな構成で簡単な制御を可能にするノーマリオフGaNパワー技術を開発してきました。当社はGaNパワー技術のうちノーマリオフGaNトランジスタ構造をインフィニオンへライセンス提供することによりGaNパワーデバイスの普及を加速できると期待しています。当社はノーマリオフGaNパワー技術をさらに進化させることにより、お客様のご要望にお応えし続けます。」